Microscope Electronique à Balayage (MEB)

Le MEB, disponible à la plateforme, permet d’observer la morphologie à différentes échelles (du mm au nm) de tout type de matériaux qu'ils soient conducteurs ou non. Il est couplé a deux types de spectromètres permettant des analyses élémentaires (EDS) et moléculaires (Raman).

• Imagerie topographique (2D) d'échantillons conducteurs et/ou isolants et/ou partiellement hydratés (également possible en large champ)
• Imagerie en contraste chimique
• Imagerie en transmission d'échantillons très fins (< 50 nm)
• Analyses qualitatives élémentaires (ponctuelles, zonées, profils et cartographies X), avec possibilité de quantification (cas échantillons plats, polis)
• Analyses moléculaires (ponctuelles et cartographies d'échantillons plans)

MEB

• Canon électronique à émission de champ (Field Emission Gun) : 0,5kV < EHT< 30kV
• Pression variable : vide poussé (<1 Pa) à vide partiel (5 Pa et 500 Pa)
• Détecteurs : électrons secondaires (SE, VPSE, In-Lens), électrons rétrodiffusés (BDS), électrons transmis (STEM)
• Platine froide à effet Peltier (-20°C à 50°C, Séch=1cm²)
• Résolutions :  0,8 nm à 15 kV et 1,4 nm à 1kV
• Chambre de grande dimension : échantillons ∅ ≤ 250 mm et e ≤ 50 mm

Spectromètre EDS : Bruker Quantax 123 eV

• Détecteur XFlash 5010 : technologie silicon drift  (∅=10mm²)
• Résolutions : 123eV pour Mn (Kα), < 66eV pour F et < 58eV pour C
• L'analyse quantitative est possible mais réalisée sans étalon par l’intermédiaire d'une méthode de calcul (PhiRoz ou ZAF)

Spectromètre Raman : Witec Rise

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