Microscope Electronique à Balayage (MEB)

Scanning Electron Microscopy (SEM)

Le MEB, disponible à la plateforme, permet d’observer la morphologie à différentes échelles (du mm au nm) de tout type de matériaux qu'ils soient conducteurs ou non. Il est couplé a deux types de spectromètres permettant des analyses élémentaires (EDS) et moléculaires (Raman).

Applications

  • Imagerie topographique (2D) d'échantillons conducteurs et/ou isolants et/ou partiellement hydratés (également possible en large champ)
  • Imagerie en contraste chimique
  • Imagerie en transmission d'échantillons très fins (< 50 nm)
  • Analyses qualitatives élémentaires (ponctuelles, zonées, profils et cartographies X), avec possibilité de quantification (cas échantillons plats, polis)
  • Analyses moléculaires (ponctuelles et cartographies d'échantillons plans)

ZEISS GeminiSEM 300


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MEB
  • Canon électronique à émission de champ (Field Emission Gun) : 0,5kV < EHT< 30kV
  • Pression variable : vide poussé (<1 Pa) à vide partiel (5 Pa et 500 Pa)
  • Détecteurs : électrons secondaires (SE, VPSE, In-Lens), électrons rétrodiffusés (BDS), électrons transmis (STEM)
  • Platine froide à effet Peltier (-20°C à 50°C, Séch=1cm²)
  • Résolutions :  0,8 nm à 15 kV et 1,4 nm à 1kV
  • Chambre de grande dimension : échantillons ∅ ≤ 250 mm et e ≤ 50 mm
Spectromètre EDS : Bruker Quantax 123 eV
  • Détecteur XFlash 5010 : technologie silicon drift  (∅=10mm²)
  • Résolutions : 123eV pour Mn (Kα), < 66eV pour F et < 58eV pour C
  • L'analyse quantitative est possible mais réalisée sans étalon par l’intermédiaire d'une méthode de calcul (PhiRoz ou ZAF)
Spectromètre Raman : Witec Rise
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Microscope Electronique à Balayage (MEB)
Microscope Electronique à Balayage (MEB)
Référent
Annelise COUSTURE, annelise.cousture@u-cergy.fr, +33 1 34 25 69 08
Équipement acquis avec le soutien de la région Ile de France
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